快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究

被引：7

作者：

冯团辉

卢景霄

张宇翔

杨仕娥

李瑞

靳锐敏

王海燕

郜小勇

机构：

[1] 郑州大学教育部材料物理重点实验室

[2] 郑州大学教育部材料物理重点实验室河南郑州

[3] 河南郑州

来源：

电子元件与材料 | 2005年 / 02期

关键词：

半导体材料; 快速光热退火; 非晶硅薄膜; 多晶硅薄膜; 晶粒尺寸; 暗电导率;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2005.02.009

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

为了制备应用于太阳电池的优质多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术。先利用 PECVD 设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,用电导率设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光热退火前先用常规高温炉预热有助于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗电导率。

引用

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