激光晶化多晶硅的制备与XRD谱

被引：16

作者：

廖燕平

黄金英

郜峰利

邵喜斌

付国柱

荆海

缪国庆

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心

[2] 中国科学院激发态物理重点实验室长春

[3] 中国科学院激发态物理重点实验室

[4] 长春

[5] 吉林大学电子科学与工程学院

[6] 吉林北方彩晶数码电子有限公司

来源：

吉林大学学报(理学版) | 2004年 / 01期

关键词：

氢化非晶硅; 脱氢; 激光晶化; 多晶硅; X射线衍射; 半宽度;

D O I：

10.13413/j.cnki.jdxblxb.2004.01.021

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

对氢化非晶硅(a-Si:H)进行了脱氢和不同能量密度的准分子激光晶化多晶硅的实验,对所得样品用X射线衍射表征.针对多晶硅(111)面特征峰的强度、晶面间距和宽化信息,分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响,根据谢乐公式(Scherrer)估算了晶粒的大小,得到用准分子激光晶化多晶硅的较佳工艺参数,并且验证了激光辐射对薄膜材料作用的3种情况.

引用

页码：99 / 102

页数：4

共 5 条

[1] 激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究 [J].

刘传珍 ;

杨柏梁 ;

李牧菊 ;

吴渊 ;

张玉 ;

李轶华 ;

邱法斌 ;

黄锡珉 .

液晶与显示, 2000, (01) :46-52

[2] 氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究 [J].

李牧菊 ;

杨柏梁 ;

朱永福 ;

袁剑峰 ;

刘传珍 ;

廖燕平 ;

吴渊 .

液晶与显示, 1999, (03) :193-198

[3]

多晶二维X射线衍射.[M].丛秋滋著;.科学出版社.1997,

[4]

激光工艺与微电子技术.[M].(俄)В.П.魏柯(В.П.Веико);(俄)С.М.麦捷夫(С.М.Метев)著;吴国安;邓存熙译;.国防工业出版社.1997,

[5]

非晶半导体材料与器件.[M].陈治明编著;.科学出版社.1991,

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