基于阈值电压漂移的VDMOS寿命评价

被引：2

作者：

陈镜波 ^{[1
,2
]}

何小琦 ^{[2
]}

章晓文 ^{[2
]}

机构：

[1] 广东工业大学材料与能源学院

[2] 工业与信息化部电子第五研究所

来源：

微电子学 | 2010年 / 40卷 / 03期

关键词：

DC/DC电源; VDMOS; 寿命评价;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];

学科分类号：

摘要：

随着DC/DC电源的快速发展,作为其中的开关管,VDMOS器件的可靠性一直受到关注。基于VDMOS阈值电压漂移的失效机理研究,对DC/DC电源上的VDMOS器件进行寿命评价;在135℃、150℃和165℃三种温度下进行加速老化试验,以阈值漂移量20 mV为失效判据,利用Arrhenius模型对试验结果进行分析,得到其失效激活能为1.18 eV,推算出其工作状态下的中位寿命特征值为4.0×105h。分析认为,引起阈值电压漂移的原因主要是界面态电荷的积累。

引用

页码：421 / 424

页数：4

共 5 条

[1] 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性
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