基于板上封装技术的大功率LED热分析

被引：14

作者：

姜斌 ^{[1
]}

宋国华 ^{[2
]}

缪建文 ^{[3
]}

袁莉 ^{[2
]}

纪宪明 ^{[2
]}

机构：

[1] 南通大学电子信息学院

[2] 南通大学理学院

[3] 南通大学化学化工学院

来源：

电子元件与材料 | 2011年 / 30卷 / 06期

关键词：

大功率LED; 板上封装; 热阻; 有限元热分析;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2011.06.019

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

根据大功率LED板上封装(COB)技术的结构特点,提出三种COB方法。第一种方法是把芯片直接键合在铝制散热器上(COB—III型),另外两种方法是分别把芯片键合在铝基板上和铝基板的印刷线路板上(COB—II和COB—I型),并对三种COB的热特性进行有限元模拟、实验测量和对照分析。结果表明:在环境温度为30℃时,采用第一种封装方法的芯片结温比第二、三种方法分别下降21.5,42.7℃,热阻也分别下降25.7,58.8 K/W;采用第一种封装方法的芯片光衰小于第二、三种封装方法。

引用

页码：48 / 52

页数：5

共 7 条

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