一种精确测定二氧化硅表面羟基数量的新方法

被引：4

作者：

郝良鹏 ^{[1
]}

柴颂刚 ^{[1
]}

曾耀德 ^{[1
]}

李晓冬 ^{[2
]}

邢燕侠 ^{[1
]}

曾杰 ^{[1
]}

机构：

[1] 广东生益科技股份有限公司国家电子电路基材工程技术研究中心

[2] 江苏联瑞新材料股份有限公司

来源：

广州化工 | 2019年 / 47卷 / 04期

关键词：

二氧化硅; 表面羟基; 卡尔费休滴定法;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ127.2 [硅及其无机化合物];

学科分类号：

0817 ;

摘要：

利用二氧化硅吸附水、表面羟基和内部羟基脱水温度的差异,结合卡氏水分测试方法,建立了一种准确、高效、简单的二氧化硅表面羟基数数量测试方法。采用所建立方法对二氧化硅进行测试,研究了测试条件和测试影响因素。结果表明:该方法操作简单,结果重现性和准确性较好,对于二氧化硅工业化生产分析及品质监控具有重要的价值。

引用

页码：93 / 94+121 +121

页数：3

共 9 条

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