非晶硅薄膜的钝化作用

被引：2

作者：

何宇亮

杜家方

李耀文

汪应华

黄达民

机构：

[1] 南京大学物理系

[2] 南京晶体管厂四车间

来源：

半导体技术 | 1983年 / 05期

关键词：

非晶硅膜; St; 逸出; 击穿电压; 反向漏电流; 淀积; 大功率晶体管; 钝化作用; 硅器件; 绝缘性; 悬挂键; 钝化膜; 光学薄膜; 半导体器件; 电子设备; 半导体表面;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.1983.05.007

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

用半绝缘性非晶硅做为硅器件的钝化保护膜经我们长期实验已取得显著效果。它能大大降低器件的反向漏电流,提高击穿电压并使特性稳定。这是由于非晶硅膜中含有氢,氢能直接填补硅器件界面上的缺陷及表面能级,降低表面态之故。已证实非晶硅对碱金属离子及水汽具有较强的掩蔽作用,以及它的工艺条件简便、淀积温度低都使它有利于用在工业生产上。

引用

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