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IGBT绝缘栅双极晶体管发展简述
被引：35
作者：
王树振
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单威
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宋玲玲
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机构：
[1] 中国电子科技集团公司第四十七研究所
[2] 长春理工大学研究生院
来源：
关键词：
绝缘栅双极晶体管;
结构;
现状;
特点;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN386 [场效应器件];
学科分类号：
080508 [光电信息材料与器件];
摘要：
简述了IGBT的发展概况,对比了国内外的发展现状,及国内外产品的技术特点与指标。同时,还指出了IGBT的优点,研究IGBT的重要性及其发展趋势。
引用
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页数：4
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