SiC混合IGBT器件应用研究

被引：7

作者：

唐威

忻力

魏海山

陈玉其

欧阳柳

张东辉

机构：

[1] 南车电气技术与材料工程研究院

来源：

大功率变流技术 | 2015年 / 02期

关键词：

SiC功率器件; 混合IGBT; 驱动技术; 功率试验;

D O I：

10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.008

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

Si C功率器件具有高频、高效率、高功率、耐高温、抗辐射等优点。文章介绍了目前Si C功率器件应用情况,阐述了Si C pn结肖特基势垒(JBS)、Si C-MOSFET以及Si C混合IGBT的特性,分析了应用于1 700 V Si C混合IGBT的可编程驱动技术;最后简述了Si C模块功率试验情况。

引用

页码：40 / 43

页数：4

共 5 条

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