1000V 4H-SiC JBS功率二极管元胞

主要介绍了4H-SiC结势垒肖特基(JBS)功率二极管元胞的设计、仿真和制造,得到了JBS器件有源区相间的p+型岛的宽度和间距等关键参数与器件电学特性的关系,比较了JBS功率二极管与肖特基二极管(SBD)的正向特性和反向漏电流特性。在较大的正向电压下,JBS功率二极管的p型岛的空穴电流可以穿过p型接触区发生空穴注入。与SBD相比,JBS功率二极管能有效降低反向漏电流,提高器件的击穿电压,并减少了对工艺控制精确性的要求。二维器件数值仿真分析和工艺实验结果表明,4H-SiC JBS功率二极管具有1.3 V的正向电压和1 kV的击穿电压。