低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究

被引：6

作者：

李文军

李文漪

赵君芙

吴争鸣

武正簧

赵小林

蔡炳初

机构：

[1] 上海交通大学信息存储研究中心!上海

[2] 上海交通大学材料科学与工程学院!上海

[3] 太原理工大学化学工程与技术学院!太原

[4] 上海交

来源：

微细加工技术 | 2000年 / 03期

关键词：

MOCVD; 二氧化钛; 薄膜; 制备; 结构特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

以四异丙醇钛为原料 ,氧气作反应气体 ,高纯氮气作载气 ,采用低压MOCVD法在单晶Si基片上制备出了TiO2 薄膜。研究了基片温度和氧气流量对TiO2 薄膜沉积速率的影响 ,以及基片温度和退火温度对TiO2 薄膜的结构的影响。采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2 薄膜的结构进行分析。实验表明 :基片温度在1 1 0℃～ 2 5 0℃时制备的TiO2 薄膜是非晶态的 ,在 35 0℃～ 5 0 0℃时制备的TiO2 薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结构 ,当基片温度超过 6 0 0℃时开始生成金红石。

引用

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