基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响

被引：21

作者：

曾维强

姚建可

贺洪波

邵建达

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所

来源：

中国激光 | 2008年 / 35卷 / 12期

关键词：

薄膜; ITO透明导电膜; 基底温度; 直流磁控溅射;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

摘要：

用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2)=9∶1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析。计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质。实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200℃)能在保证薄膜85%以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值。薄膜的结晶度随着基底温度的提高而提高。

引用

页码：2031 / 2035

页数：5

共 11 条

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