Ga掺杂ZnO电子结构的密度泛函计算

被引：28

作者：

张富春

邓周虎

阎军锋

王雪文

张志勇

机构：

[1] 西北大学电子科学系,西北大学电子科学系,西北大学电子科学系,西北大学电子科学系,西北大学电子科学系陕西西安,延安大学物理与电子信息学院,陕西延安,陕西西安,陕西西安,陕西西安,陕西西安

来源：

功能材料 | 2005年 / 08期

关键词：

ZnO; 密度泛函; 电子结构; 掺杂; 光吸收边; Burstein-Moss移动;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

根据密度泛函理论(DFT),采用“总体能量-平面波”超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据。计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度。分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响。

引用

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