Z-半导体敏感元件原理与应用——(2)Z-元件的研制实践与工作机理的定性分析

被引：17

作者：

周长恩

傅云鹏

张靖环

王健林

机构：

[1] 哈尔滨诺威克传感技术公司高级工程师

来源：

关键词：

Z-元件; 管道击穿; 雪崩击穿; 管道雪崩击穿;

D O I：

10.16204/j.cnki.sw.2001.04.001

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

本文给出了Z-元件的p+-p-n-.i-n+实际结构,并详细分析了发生在掺金γ-硅区n-.i中的微电子过程.提出了Z-元件结构中“管道击穿”和“管道雪崩击穿”的新概念;建立了“管道击穿”模型。本文可供Z-元件研制与应用开发领域参考。

引用

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