电子束辐照对聚酰亚胺电气性能的影响

被引:10
作者
刘晓东
张要强
马丽婵
郑晓泉
机构
[1] 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
关键词
聚酰亚胺; 纳米改性; 电子辐射; 介电性能;
D O I
10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2006.06.012
中图分类号
TM215 [固体电介质];
学科分类号
0805 ; 080502 ; 080801 ;
摘要
研究了高能电子束辐照对聚酰亚胺薄膜(PI)试样电气性能的影响。实验发现高能电子束辐照后PI的介电常数减小,电导率增大,电损耗增大。利用原位聚合法把70纳米Al2O3粒子引入到PI薄膜中,对材料进行改性,实验发现改性后PI薄膜抗高能电子束辐射能力得到加强。
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