InO:Sn（ITO）薄膜的光学特性研究

被引：20

作者：

陈猛

白雪冬

裴志亮

孙超

宫骏

黄荣芳

闻立时

不详

机构：

[1] 中国科学院金属研究所!中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室

[2] 沈阳，

[3] 中国科学院金属研究所!沈阳，

[4] 中国科学院

来源：

金属学报 | 1999年 / 09期

关键词：

In2O3：Sn(ITO)薄膜; 红外反射率; 电磁本构特性; 线性拟合; 禁戒跃迁;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

摘要：

对掺锡三氧化铟（Sn－dopedIn2O3，简称ITO）薄膜光学特性进行了研究结果表明，该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大，表现出类金属性质，ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数k在450－800nm区间的色散很弱，基于对薄膜光学吸收边附近吸收系数的线性拟合表明，薄膜在K＝0处价带至导带的跃迁是禁戒跃迁。

引用

页码：934 / 938

页数：5

共 3 条

[1] 柔性基片上InO:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性 [J].