非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

被引：27

作者：

张世斌

廖显伯

安龙

杨富华

孔光临

王永谦

徐艳月

陈长勇

刁宏伟

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心

[2] 中国科学院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室

[3] 中国科学院半

来源：

物理学报 | 2002年 / 08期

关键词：

非晶硅; 薄膜; 喇曼散射; 微结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.5 [薄膜测量与分析];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度 ,并保持其他的沉积参量不变 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功地制备出处于非晶微晶相变过渡区域的硅薄膜样品 .测量了样品的室温光电导和暗电导 ,样品的光电性能优越 ,在 5 0mW·cm- 2 的白光照射下 ,光电导和暗电导的比值达到 10 6 .在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性 ,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析 .结果表明 ,在我们的样品制备条件下 ,当H2 和SiH4 的流量比R较小时 ,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性 ;随流量比R的增大 ,薄膜表现出两相结构 ,其中的微晶成分随氢稀释比的增大逐渐增多 ;用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品 (R >5 0 )中微晶粒的平均尺寸大小为 2 4nm左右 ;样品的中程有序度随氢稀释程度的增加而增大

引用

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