高增益K波段MMIC低噪声放大器附视频

被引:8
作者
王闯
钱蓉
孙晓玮
机构
[1] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
关键词
PHEMT; K波段; MMIC; 高增益; 低噪声放大器; 芯片级电磁场仿真;
D O I
暂无
中图分类号
TN722.3 [低噪声放大器];
学科分类号
摘要
基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器1dB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.
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共 1 条
[1]   高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器附视频 [J].
王闯 ;
钱蓉 ;
孙晓玮 ;
顾建忠 .
半导体学报, 2005, (04) :786-789