分离水珠对支柱绝缘子电场分布的影响

被引:35
作者
徐志钮
律方成
李和明
机构
[1] 华北电力大学生物质发电成套设备国家工程实验室
关键词
支柱绝缘子; 室温硫化(RTV); 憎水性; 分离水珠; 局部放电; 电场畸变;
D O I
10.13336/j.1003-6520.hve.2010.09.029
中图分类号
TM852 [环境对绝缘的影响];
学科分类号
摘要
憎水性时表面的分离水珠对电场有畸变作用,容易导致局部放电。为此,基于有限元法建立了110kV瓷支柱绝缘子的真实模型和模拟的复合支柱绝缘子模型,基于准静态拟谐性场分析了分离水珠存在时表面电场/电位的分布情况并与不存在水珠的情况进行了比较,获得了容易发生局部放电的区域和水珠畸变场强的影响范围。同时分析了接触角、水珠间距、电导率对电场的影响,结果表明:水珠的存在畸变了其附近的电场,但对电场的整体分布和电位影响很小;上下金具附近、伞裙上表面与柱体相交处是电场集中区域;电场仅在大伞裙外侧以内小范围内发生畸变;复合支柱绝缘子沿面电场略小于同样形状的瓷支柱绝缘子;随着水珠接触角的增加/间距的减少电场畸变更严重;实际情况中水的电导率对场强几乎没有影响。
引用
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页码:2278 / 2284
页数:7
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