国内外集成电路光刻胶研究进展

被引：6

作者：

江洪

王春晓

机构：

[1] 中国科学院武汉文献情报中心

来源：

新材料产业 | 2019年 / 10期

关键词：

光刻胶; 去除技术; 光刻技术; EUV; 光刻胶材料;

D O I：

10.19599/j.issn.1008-892x.2019.10.005

中图分类号：

TN40 [一般性问题];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

<正>光刻胶又名"光致抗蚀剂",是一种在紫外光等光照或辐射下,其溶解度会发生变化的薄膜材料。光刻胶的配方较为复杂,通常由增感剂、溶剂、感光树脂以及多种添加剂成分构成[1],是集成电路制造的关键基础材料之一,是光刻技术中涉及到最关键的功能性化学材料[2],广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及半导体分立器件的微细加工等过程[3]。光刻胶分为光

引用

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共 21 条

[1]

基于压电雾化喷涂法光刻胶涂覆工艺及其应用研究.[D].翟荣安.苏州大学.2017, 06

[2]

新型紫外纳米压印光刻胶的研究.[D].林宏.上海交通大学.2012, 07

[3] EUV光刻胶专利分析及技术热点综述 [J].