垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究

被引：3

作者：

李林

钟景昌

张永明

赵英杰

王勇

刘文莉

郝永琴

苏伟

晏长岭

机构：

[1] 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春,吉林长春,吉林长春,吉林长春,吉林长春,吉林长春,吉林长春,吉林长春,吉林长春

来源：

光子学报 | 2005年 / 03期

关键词：

垂直腔面发射激光器(VCSEL); 分布布拉格反射镜(DBR); 光荧光(PL); X射线双晶衍射(XRD);

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm,腔模波长与PL谱峰值波长相匹配

引用

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