WOx:Mo薄膜的结构及电致变色性能研究

被引:7
作者
黄佳木
施萍萍
吕佳
机构
[1] 重庆大学材料学院
[2] 重庆大学材料学院 重庆 
[3] 重庆 
关键词
掺杂氧化钨; 钼掺杂; 非晶态薄膜; 电致变色; 反应磁控溅射;
D O I
10.14062/j.issn.0454-5648.2004.05.009
中图分类号
TB43 [薄膜技术]; O484 [薄膜物理学];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 1406 ;
摘要
采用反应磁控溅射工艺,以纯钨和纯钼为靶材在ITO玻璃上制备Mo掺杂WOx电致变色薄膜,用薄膜的透射光谱和XRD衍射方法对掺杂后薄膜的电致变色性能和结构进行了分析,研究了Mo掺杂对WOx薄膜电致变色性能和微观结构的影响机理。实验结果表明:在一定掺杂范围内,Mo掺杂对薄膜电致变色性能有较大提高;掺杂越均匀,对薄膜电致变色性能的改善越显著。影响薄膜电致变色性能的相应掺杂量由溅射时间表示,相对掺量存在最佳值,即7.7%附近,薄膜的变色性能可得到最大的提高,按实验结果趋势分析掺杂量存在有效范围,超出有效掺杂范围,掺杂便会失效。XRD分析表明,掺杂Mo之后的WOx薄膜仍为非晶态,且非晶态有增强的趋势。
引用
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页码:580 / 584+589 +589
页数:6
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