掺镁铌酸锂晶体的ICP刻蚀性能

被引：4

作者：

周钰杰

冯力群

孙军强

机构：

[1] 华中科技大学光电子科学与工程学院武汉光电国家实验室

来源：

中国激光 | 2012年 / 39卷 / 09期

关键词：

集成光学; 光学器件; 掺镁铌酸锂; 微结构加工; 感应耦合等离子体干法刻蚀; 刻蚀速率;

D O I：

暂无

中图分类号：

O734 [晶体的光学性质];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

掺镁铌酸锂晶体(Mg:LiNbO3)是一种相对难刻蚀的晶体,Mg:LiNbO3的干法刻蚀速率和刻蚀形貌控制是铌酸锂光电子器件加工中的关键技术之一。采用牛津仪器公司的Plasmalab System 100以SF6/Ar为刻蚀气体,具体研究Mg:LiNbO3的刻蚀速率随着感应耦合等离子体(ICP)功率、反应离子刻蚀(RIE)功率、气室压强和气体流量配比等刻蚀参数的变化,同时研究发现SF6/(Ar+SF6)气体流量配比还会影响刻蚀表面的粗糙度。实验结果表明:在ICP功率为1000W,RIE功率为150W,标准状态(0℃,1个标准大气压)下气体总流量为52mL/min,压强为0.532Pa,SF6/(Ar+SF6)气体体积分数为0.077的条件下,刻蚀速率可达到152nm/min,刻蚀表面粗糙度为1.37nm,可获得刻蚀深度为2.5μm,侧壁角度为74.8°的表面平整脊形Mg:LiNbO3结构。

引用

页码：123 / 128

页数：6

共 7 条

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