微光刻相移掩模技术研究

被引：3

作者：

冯伯儒

孙国良

沈锋

阙珑

陈宝钦

崔铮

机构：

[1] 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室!成都

[2] 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室

来源：

光电工程 | 1996年 / S1期

基金：

中国国家自然科学基金;

关键词：

投影光刻; 相移掩模; 高分辨率; 计算机模拟;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率、延长光刻技术寿命以及推进光刻技术极限发展方面的优良性能

引用

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