TMAH腐蚀液制作硅微结构的研究

被引：12

作者：

张建辉 ^{[1
]}

李伟东 ^{[2
]}

万红 ^{[1
]}

吴学忠 ^{[2
]}

机构：

[1] 国防科技大学航天与材料工程学院

[2] 国防科技大学机电工程与自动化学院

来源：

传感技术学报 | 2006年 / 03期

关键词：

MEMS; TMAH; 硅微结构; 各向异性腐蚀;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

通过各向异性腐蚀硅微结构工艺,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液的特性,包括硅(100)晶面腐蚀速率与TAMH溶液浓度、温度、pH值以及过硫酸铵添加剂的关系,并采用原子力显微镜研究了不同腐蚀条件下硅的表面形貌,研究表明随TMAH溶液的浓度的降低和腐蚀温度的提高,腐蚀速率提高,硅腔的表面粗糙度增大;过硫酸铵添加剂明显改善了硅微腔的表面平整度。本研究所确定的最佳腐蚀工艺条件为溶液中TMAH浓度为25%,过硫酸铵添加剂浓度为3%,腐蚀温度80℃。在此工艺条件下腐蚀出了深度为230μm、表面粗糙度小于50nm的硅微腔。

引用

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