平面型2.6μm InGaAs红外探测器变温特性研究

被引：4

作者：

李永富 ^{[1
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唐恒敬 ^{[1
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张可峰 ^{[1
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李淘 ^{[1
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宁锦华 ^{[1
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李雪 ^{[1
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龚海梅 ^{[1
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机构：

[1] 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室

[2] 中国科学院研究生院

来源：

激光与红外 | 2009年 / 39卷 / 06期

基金：

国家自然科学基金重点项目;

关键词：

InGaAs红外探测器; 产生-复合电流; 隧穿电流; 暗电流; 优值因子; 峰值探测率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN215 [红外探测、红外探测器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制。随着温度的降低,器件的峰值探测率在210 K达到峰值,单元器件约1.7×109cmHz1/2/W,八元器件约9.4×109cmHz1/2/W。

引用

页码：612 / 617

页数：6

共 5 条

[1] 短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制 [J].

张永刚 ;

顾溢 ;

朱诚 ;

郝国强 ;

李爱珍 ;

刘天东 .

红外与毫米波学报, 2006, (01) :6-9

[2] 空间遥感用InGaAs短波红外探测器 [J].

黄杨程 .

红外, 2004, (03) :10-18+41

[3]

半导体器件基础[M]. 电子工业出版社 , (美)RobertF.Pierret著, 2004

[4] Analysis of dark current contributions in mercury cadmium telluride junction diodes [J].

Gopal, V ;

Singh, SK ;

Mehra, RM .

INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2002, 43 (06) :317-326

[5]

Extended wavelength InGaAs infrared （1.0–2.4 μm） detector arrays on SCIAMACHY for space-based spectrometry of the Earth atmosphere[J] . Ruud W.M Hoogeveen,Ronald J van der A,Albert P.H Goede.Infrared Physics and Technology . 2001 (1)

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