Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响

被引：7

作者：

徐建萍 ^{[1
,2
]}

石少波 ^{[3
]}

张晓松 ^{[1
]}

李岚 ^{[1
]}

机构：

[1] 天津理工大学材料物理研究所显示材料与光电器件省部共建教育部重点实验室天津市光电显示材料与器件重点实验室

[2] 南京大学固体微结构物理国家重点实验室

[3] 天津职业技术师范大学理学院

来源：

光电子激光. | 2010年 / 21卷 / 11期

关键词：

Cu掺杂ZnO量子点; 光致发光(PL)谱;

D O I：

10.16136/j.joel.2010.11.009

中图分类号：

O471.1 [半导体量子理论];

学科分类号：

摘要：

通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4～5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰。随着Cu掺杂浓度的增大,紫外荧光峰位发生缓慢红移,由366nm移到370nm;可见区发射峰位发生蓝移,由525nm移到495nm;同时,两个发射峰强度降低。光谱结果表明:Cu的掺入,一方面抑制表面与O空位有关的缺陷,在495nm出现了与Cu1+有关的发射峰;另一方面,Cu离子掺入ZnO量子点引入一些非辐射中心,降低了自由激子发射。

引用

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页码：1593 / 1596

页数：4

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