高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制

被引：6

作者：

刘家洲

陈意桥

税琼

南矿军

李爱珍

张永刚

机构：

[1] 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

来源：

功能材料与器件学报 | 2002年 / 01期

关键词：

光电探测器; 分子束外延; In0.53Ga0.47As;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN36 [半导体光电器件];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps。对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论。

引用

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