真空、直流电压的电子辐射环境中聚酰亚胺材料的沿面闪络特性

被引：15

作者：

张振军 ^{[1
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苗军 ^{[2
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王学强 ^{[2
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吴文斌 ^{[1
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杨沛 ^{[1
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郑晓泉 ^{[1
]}

机构：

[1] 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室

[2] 不详

来源：

高电压技术 | 2014年 / 40卷 / 01期

关键词：

电子辐射; 沿面闪络; 电子能量; 束流密度; 降解; 陷阱;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2014.01.017

中图分类号：

TM21 [绝缘材料、电介质及其制品];

学科分类号：

摘要：

为了提高聚酰亚胺材料(PI)在复杂工程环境下的可靠性,实验研究了真空电子辐射下PI的直流沿面闪络特性,并采用热刺激电流(TSC)法测试辐射前后试样的陷阱参数。结果表明,当辐射电子能量在0.5～20 keV范围内时,试样表面的闪络电压高于无辐射情况下的闪络电压;电子能量越高,介质表面正电荷密度和相对介电常数越小,陷阱深度增大,表面电场均衡性有所提高,因此闪络电压越高;在辐射电子能量不变情况下,束流密度越大,初始电子数越多,泄漏电流越大,则闪络电压越低。

引用

页码：117 / 123

页数：7

共 12 条

[1] 改性聚酰亚胺的真空直流沿面闪络特性 [J].