碳热还原法制β-SiC晶须的结晶特征及内部缺陷

用超细碳粉热还原高岭土合成β-SiC晶须是一条较新颖的晶须制备工艺途径。本文用STEM,EDAX等分析测试技术详细研究了该方法合成的β-SiC晶须的结晶特征及内部缺陷。结果表明,合成温度对晶须的结晶形貌等影响较大。1700℃附近,晶须侧面出现“竹节”状结晶特征。TEM表明,β-SiC晶须表面沿〈111〉方向具有平行的堆垛层错,晶须横断面呈实心正三角形,顶端出现螺型位错。综合其它分析,该方法合成的β-SiC晶须,其生长过程应为“VS”生长机理。