高介电常数材料在半导体存储器件中的应用

被引：13

作者：

邵天奇

任天令

李春晓

朱钧

机构：

[1] 清华大学微电子学研究所

[2] 清华大学微电子学研究所北京

[3] 北京

来源：

固体电子学研究与进展 | 2002年 / 03期

关键词：

高介电常数材料; 铁电体; 氮化物; 铁电存储器; 铁电场效应管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP333 [存贮器];

学科分类号：

081201 ;

摘要：

高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法 ,及其在半导体存储器件中的应用和前沿课题

引用

页码：312 / 317

页数：6