紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究

被引：15

作者：

杨晓东

张景文

邹玮

侯洵

机构：

[1] 西北大学光子学与光子技术研究所,中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室西安,西安,西安,西安

来源：

光子学报 | 2002年 / 10期

关键词：

ZnO; 直流反应溅射; XRD;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

采用直流反应溅射法分别在Si( 1 1 1 ) ,Si( 0 0 1 ) ,及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜 ,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响 ,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向通过优化生长条件 ,在衬底温度为 35 0℃ ,氧氩比为 1∶2的条件下生长出了XRD半高宽为 0 1°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜

引用

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