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高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性附视频
被引：1
作者：
朱东海
王占国
梁基本
徐波
朱战萍
张隽
龚谦
金才政
丛立方
胡雄伟
韩勤
方祖捷
刘斌
屠玉珍
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
[2] 北京
[3] 中国科学院半导体研究所半导体材料科
来源：
关键词：
激光器;
连续输出;
光激射器;
电子器件;
阈值电流密度;
大功率;
AlGaAs;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN24 [激光技术、微波激射技术];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．
引用
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页数：4
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