多孔硅发强可见光的新物理模型

被引：22

作者：

秦国刚

贾勇强

机构：

[1] 北京大学物理系

[2] 北京大学物理系北京

[3] 北京

来源：

半导体学报 | 1993年 / 10期

关键词：

多孔硅; 物理模型; 模型(物理); 电子空穴; 有机硅化合物; 硅烷; 发光带; 阳极氧化; 非辐射复合; 激光疗法; 激光辐照; 光致发光; 发强;

D O I：

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摘要：

本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子-空穴对能量增高与电子-空穴对通过纳米硅粒以外的发光中心复合而发光。在用阳极氧化刚制备或用HF酸刚处理过的多孔硅中,硅-氢键特别是多硅烷可能是主导的发光中心,而在经过适当氧化处理后发光比较稳定的多孔硅中,发光中心可能是氧化层中的点缺陷或杂质。

引用

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