谷胱甘肽自组装膜修饰电极用于Cr(VI)离子的测定

被引：11

作者：

杨培慧

赵秋香

朱洁晶

蔡继业

机构：

[1] 暨南大学化学系

[2] 暨南大学化学系广东广州

[3] 广东广州

来源：

暨南大学学报(自然科学与医学版) | 2004年 / 01期

关键词：

铬; 谷胱甘肽; 修饰电极; 循环伏安法;

D O I：

暂无

中图分类号：

O657.1 [电化学分析法];

学科分类号：

070302 ; 081704 ;

摘要：

将谷胱甘肽(GSH)自组装膜修饰电极用于Cr(Ⅵ)的测定.实验表明,在0 02mol/LH2SO4+0 1mol/LNaNO3溶液中,在+1 00～-0 40V电位范围内进行循环伏安扫描,于+0 29V(Vs.SCE)处获得铬的还原峰信号、+0 65V(Vs,SCE)处获得铬的氧化峰信号.Cr(VI)在GSH/Au修饰电极上的电化学行为比裸金电极有明显的改善,峰电流更为灵敏,且还原峰电流随着Cr(VI)浓度的增加而增大,因此选择+0 29V的还原峰作为分析信号,运用1 5次微分线性扫描伏安法对铬进行了定量分析,线性范围为1 0×10-8～1 0×10-6mol/L,检测限为1 0×10-9mol/L.将所建立的方法应用于湖水样品中铬含量的测定,以ICP进行对照实验,结果满意.

引用

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页数：5

共 6 条

[1] “抗氧化物之王”谷胱甘肽的研究与开发附视频 [J].