高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计

被引：6

作者：

王青

曹玉莲

何国荣

韦欣

渠红伟

宋国峰

陈良惠

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室

来源：

光电子激光. | 2008年 / 03期

关键词：

InGaAs/GaAsP; 应变补偿; 垂直腔面发射激光器(VCSEL);

D O I：

10.16136/j.joel.2008.03.017

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益。按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合。

引用

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