蒸发制备金属薄膜实现MEMS工艺中电互连

被引：7

作者：

黄磊

陈四海

何少伟

史锡婷

李敏杰

李毅

易新建

机构：

[1] 华中科技大学光电子工程系

来源：

半导体技术 | 2005年 / 12期

关键词：

微机电系统; 互连; 电子束蒸发; 剥离技术;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

140103 [集成电路制造工程];

摘要：

介绍了利用蒸发方法制备金属薄膜来实现MEMS工艺中的互连,采用剥离方法制作金属互连柱。分别在剥离层为双层AZ5214负胶、聚酰亚胺(ZKPI-305IID)和AZ5214负胶、ENPI剥离胶的情况下,实验并制备了金属Ni互连柱(双层AZ5214金属柱高1.86μm,聚酰亚胺(ZKPI-305IID)和AZ5214柱高2.0μm,ENPI柱高1.5μm),都起到了较好的互连作用。

引用

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