半导体金属互连集成技术的进展与趋势

被引：34

作者：

黄浩

魏喆良

唐电

机构：

[1] 福州大学材料研究所,福州大学材料研究所,福州大学材料研究所福建福州,福建福州,福建福州美国密苏里罗拉大学材料研究中心,罗拉

来源：

金属热处理 | 2004年 / 08期

关键词：

集成电路; 金属互连; 巨大规模;

D O I：

10.13251/j.issn.0254-6051.2004.08.008

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

集成电路 (IC)技术的快速发展对金属互连技术提出了更高的要求。传统的Al金属互连技术已经不能满足现代互连技术发展的需要 ,大马士革结构的Cu金属互连技术已成为互连技术的重点发展方向之一。本文重点介绍了目前Cu互连技术及其面临的关键问题 ,同时还介绍了近期出现的新型Ag互连技术 ,最后对未来互连技术的发展趋势提出了思考与展望

引用

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[1]

双嵌入式低k介电层/铜工艺技术 [J].