极紫外投影光刻两镜微缩投影系统的光学设计

被引：3

作者：

王丽萍

金春水

张立超

机构：

[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室

来源：

光电工程 | 2007年 / 12期

关键词：

极紫外投影光刻; 投影物镜; 平场两镜系统; 光学设计; 光刻技术;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB851 [光学镜头、滤光器];

学科分类号：

0804 ;

摘要：

极紫外投影光刻(EUVL)两镜微缩投影物镜通常采用Schwarzschild结构和平场结构。本文分析了这两种结构在EUVL不同发展阶段的设计特点,并依据有限距反射系统像差理论,从解析解出发,设计了两套平场两镜系统,分别用于对分辨力为70nm、无遮拦、环形视场扫描曝光系统及目前研制的EUVL32nm技术节点小视场曝光系统的研究。系统设计指标满足极紫外投影光刻要求。

引用

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