可提高光刻分辨率的新技术

被引：6

作者：

罗先刚

姚汉民

周冲喜

冯伯儒

陈旭南

机构：

[1] 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家实验室!成都,中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家实验室!成都,中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家实验室!成都,中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家实验室!成都,中国科

来源：

关键词：

离轴照明; 相移掩模; 光刻分辨力;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

详细研究了离轴掩模的原理 ,将离轴照明 (OAI)与相移掩模 (PSM)技术结合起来 ,在掩模上同时实现两种功能 ,较大程度地提高了光刻分辨力 .实验表明 ,在数值孔径 0 .42 ,i线曝光波长下 ,可将光刻分辨力从 0 .8μm提高到 0 .5μm.

引用

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