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一种用于SRAM快速仿真的模型
被引：2
作者：
张锋
周玉梅
黄令仪
机构：
[1] 中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所北京,北京,北京
来源：
关键词：
SRAM;
网表;
版图后仿真;
寄生效应;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN402 [设计];
学科分类号：
080903 ;
1401 ;
摘要：
根据静态随机存储器(SRAM)电路及版图的设计特点,提出了一种新的可用于SRAM设计的快速仿真计算模型.该模型仿真快速准确,能克服Spice仿真软件对大容量SRAM版图后仿真速度较慢的缺点,在很大程度上缩短了设计周期.同时,它的仿真结果同Synopsys公司的Nanosim软件仿真结果相比偏差小于5%.该模型在龙芯Ⅱ号CPU的SRAM设计中得到了应用;芯片采用的是中芯国际0.18μmCMOS工艺.流片验证了该模型对于大容量的SRAM设计是准确而有效的.
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页码：1264 / 1268
页数：5
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