基于原位形成p-n结的新型光电化学传感器检测Hg2+

利用简单方法合成了水溶性的巯基乙酸修饰的硫化镉（CdS）量子点。通过静电吸附,用聚二甲基二烯丙基氯化铵（PDDA）将CdS修饰到氧化铟锡（ITO）电极上。在电子供体三乙醇胺（TEA）的存在下,CdS修饰的ITO电极具有稳定的阳极光电流。Hg2+原位吸附于CdS表面形成的p型半导体HgS与n型半导体CdS形成p-n结,能够促进电子-空穴的分离与电荷传输,使CdS量子点的光电流增大。研究了反应前驱体中Cd,S摩尔比、反应溶液的pH值、回流时间等条件对所合成的量子点与Hg2+相互作用的影响。此外,还研究了电解质溶液的pH值、外加电压、反应时间对Hg2+增大CdS量子点光电流的影响。基于此,构建了灵敏检测Hg2+的光电化学传感器。该传感器对Hg2+响应的线性范围为4.0×10-8～2.0×10-5mol/L,检出限为2.4×10-8mol/L,回收率为98.3%103.5%。