基于原位形成p-n结的新型光电化学传感器检测Hg2+

被引：4

作者：

刘康丽

董玉明

束军仙

王光丽

机构：

[1] 江南大学食品胶体与生物技术教育部重点实验室化学与材料工程学院

来源：

分析测试学报 | 2014年 / 33卷 / 08期

关键词：

CdS量子点; 光电化学传感器; 汞离子; p-n结;

D O I：

暂无

中图分类号：

O657.1 [电化学分析法];

学科分类号：

070302 ; 081704 ;

摘要：

利用简单方法合成了水溶性的巯基乙酸修饰的硫化镉（CdS）量子点。通过静电吸附,用聚二甲基二烯丙基氯化铵（PDDA）将CdS修饰到氧化铟锡（ITO）电极上。在电子供体三乙醇胺（TEA）的存在下,CdS修饰的ITO电极具有稳定的阳极光电流。Hg2+原位吸附于CdS表面形成的p型半导体HgS与n型半导体CdS形成p-n结,能够促进电子-空穴的分离与电荷传输,使CdS量子点的光电流增大。研究了反应前驱体中Cd,S摩尔比、反应溶液的pH值、回流时间等条件对所合成的量子点与Hg2+相互作用的影响。此外,还研究了电解质溶液的pH值、外加电压、反应时间对Hg2+增大CdS量子点光电流的影响。基于此,构建了灵敏检测Hg2+的光电化学传感器。该传感器对Hg2+响应的线性范围为4.0×10-8～2.0×10-5mol/L,检出限为2.4×10-8mol/L,回收率为98.3%103.5%。

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页数：6

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