内应力对金属薄膜生长织构的影响

被引：20

作者：

周浪

周耐根

朱圣龙

不详

机构：

[1] 南昌大学化学与材料科学学院

[2] 中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室南昌　中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室沈阳

[3] 南昌

[4] 沈阳

来源：

金属学报 | 2002年 / 08期

关键词：

薄膜; 织构; 分子动力学;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

070307 [化学生物学];

摘要：

基于FS型原子镶嵌势（EAM势）用分子动力学模拟了金属多晶薄膜的原子沉积生长过程,通过预设恒定应变在薄膜生长过程中引入了单轴压应力,模拟研究了应力对呈丝织构的多晶薄膜中晶粒沿丝轴旋转取向择优的影响.模拟结果表明,在固定压应变条件下,最密排方向偏离压应力轴的晶粒较为优先生长发展;在生长过程中,取向择优的晶粒从沉积表面开始逐渐扩张吞并相邻晶粒.模拟结果还显示,这种生长织构的发展随沉积膜厚增加有显著的临界特征;在织构发展过程中被吞并的晶粒局部出现孪晶,继而转换为择优生长晶粒的结构;在被吞并的晶粒最终消失处将会留下失配位错.

引用

页码：795 / 798

页数：4

共 4 条

[1]

多晶沉积薄膜生长过程中织构演变的模拟研究 [J].

王沿东 ;

刘沿东 ;

徐家桢 ;

梁志德 ;

不详 .

金属学报 , 1998, (03) :313-318

[2]

Formation of nodular defects as revealed by simulation of a modified ballistic model of depositional growth[J] ZHOU Lang;WEI Xiuqin Journal of Materials Science 1998,

[3]

Texture and microstructure of thin copper films[J] D. P. Tracy;D. B. Knorr Journal of Electronic Materials 1993,

[4]

Thin Film Deposition Smith DL; New York: McGraw-Hill Inc 1995,

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