脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能

被引：32

作者：

黄美东

孙超

林国强

董闯

闻立时

机构：

[1] 中国科学院金属研究所

[2] 大连理工大学三束实验室

[3] 中国科学院金属研究所沈阳大连理工大学三束实验室

[4] 大连

[5] 沈阳

来源：

金属学报 | 2003年 / 05期

关键词：

电弧离子镀; 低温沉积; 脉冲偏压; TiN 薄膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG174.4 [金属表面防护技术];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

利用直流和脉冲偏压电弧离子镀技术沉积TiN硬质薄膜,研究了不同偏压下基体的沉积温度、薄膜的表面形貌及力学性能。结果表明,与直流偏压相比,脉冲偏压可以明显降低基体的沉积温度,大大减少薄膜表面的大颗粒污染,改善表面形貌,而薄膜的综合力学性能仍保持良好,说明利用脉冲偏压技术是实现电弧离子镀低温沉积的有效途径。

引用

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