偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理

被引:45
作者
黄美东
林国强
董闯
孙超
闻立时
机构
[1] 大连理工大学三束实验室
[2] 中国科学院金属研究所
[3] 中国科学院金属研究所 大连 中国科学院金属研究所
[4] 沈阳
[5] 大连
关键词
偏压; 电弧离子镀; Tin薄膜; 表面形貌;
D O I
暂无
中图分类号
TG174.4 [金属表面防护技术];
学科分类号
080503 ;
摘要
在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况,并分析偏压对大颗粒的影响。结果表明,偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用。直流偏压下,等离子体鞘层基本稳定,电子对大颗粒表面充电能力很弱,而脉冲偏压下,由于鞘层厚度不断变化,大颗粒不断进出于鞘层,电子对大颗粒表面的充电能力强,使其所带负电荷明显增多,受到基体的排斥力变大,大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善。
引用
收藏
页码:510 / 515
页数:6
相关论文
共 2 条
[1]   脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响 [J].
曾鹏 ;
胡社军 ;
谢光荣 ;
黄拿灿 ;
吴起白 .
金属热处理学报, 2001, (03) :62-66
[2]   电弧离子镀中不同偏压模式对TiN薄膜形貌的影响 [J].
黄美东 ;
孙超 ;
董闯 ;
黄荣芳 ;
闻立时 .
真空, 2001, (03) :36-38