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偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理
被引:45
作者:
黄美东
林国强
董闯
孙超
闻立时
机构:
[1] 大连理工大学三束实验室
[2] 中国科学院金属研究所
[3] 中国科学院金属研究所 大连 中国科学院金属研究所
[4] 沈阳
[5] 大连
来源:
关键词:
偏压;
电弧离子镀;
Tin薄膜;
表面形貌;
D O I:
暂无
中图分类号:
TG174.4 [金属表面防护技术];
学科分类号:
080503 ;
摘要:
在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况,并分析偏压对大颗粒的影响。结果表明,偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用。直流偏压下,等离子体鞘层基本稳定,电子对大颗粒表面充电能力很弱,而脉冲偏压下,由于鞘层厚度不断变化,大颗粒不断进出于鞘层,电子对大颗粒表面的充电能力强,使其所带负电荷明显增多,受到基体的排斥力变大,大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善。
引用
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页码:510 / 515
页数:6
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