脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响

被引：16

作者：

曾鹏

胡社军

谢光荣

黄拿灿

吴起白

机构：

[1] 广东工业大学材料与能源学院!广州,广东工业大学材料与能源学院!广州,广东工业大学材料与能源学院!广州,广东工业大学材料与能源学院!广州,广东工业大学材料与能源学院!广州

来源：

金属热处理学报 | 2001年 / 03期

关键词：

脉冲偏压; 真空电弧沉积; TiN薄膜; 组织性能;

D O I：

10.13289/j.issn.1009-6264.2001.03.014

中图分类号：

TG174.44 [金属复层保护];

学科分类号：

摘要：

研究了脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响。结果表明脉冲偏压幅值在50 0～ 1 70 0V ,脉宽比在 1 2 5～ 2 5的范围内 ,沉积温度低于 2 50℃时膜层组织主要由Ti2 N和TiN相构成 ,随脉冲偏压幅值和脉宽比的增大 ,晶面的择尤沉积由Ti2 N( 2 0 0 )向 ( 0 0 2 )转变 ,柱状晶生长程度减弱。膜层具有较高的显微硬度和耐磨性 ,但在过高的脉冲偏压和脉宽比的沉积条件下 ,膜层的性能有下降的趋势。

引用

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页数：5

共 3 条

[1] 离子束增强沉积TiN薄膜界面结合强度的研究 [J].