基于介观压阻效应的高g值加速度计设计

被引:2
作者
陈尚
薛晨阳
张文栋
张斌珍
王建
范波
机构
[1] 中北大学电子测试技术国家重点实验室
关键词
高g值加速度计; 介观压阻效应; 量子阱薄膜; GaAs微结构;
D O I
暂无
中图分类号
TH824.4 [];
学科分类号
摘要
依据介观压阻效应原理,设计出一种以超晶格量子阱薄膜为敏感单元的高g值纳机电加速度计,期望利用超晶格量子阱薄膜的高灵敏特性,提高加速度计的灵敏度。结合GaAs基表面微机械加工工艺和控制孔技术完成了加速度计的加工。采用马歇特冲击的方法完成了加速度计的测试,并利用冲击响应谱分析了微加速度计在有外部冲击情况下的响应,研究结果表明:依据介观压阻效应原理和MEMS技术制作高g值纳机电加速度计具有可行性,从测试结果可以看出该微加速度计不但冲击响应信号与标准加速度计所测信号很接近,而且它们的响应一致性较好。
引用
收藏
页码:446 / 449
页数:4
相关论文
共 5 条
[1]   MEMS高g值加速度计力学分析 [J].
李仁锋 ;
文贵印 ;
程永生 .
传感器技术, 2005, (07) :35-37+40
[2]   介观压阻效应 [J].
温廷敦 ;
张文栋 .
微纳电子技术, 2003, (Z1) :41-43
[3]  
纳米材料和器件[M]. 清华大学出版社 , 朱静等编著, 2003
[4]  
冲击和振动手册[M]. 科学出版社 , ()哈里斯(Harris, 1990
[5]  
SiC Materials-Progress,Dtatus,and Potential Toadblocks .2 Powell A R,Rowland L B. Proceedings of the IEEE . 2002