ZnCdTe衬底上HgCdTe分子束外延的位错密度

被引：1

作者：

于梅芳

巫艳

陈路

乔怡敏

杨建荣

何力

机构：

[1] 中国科学院上海物理研究所半导体材料器件研究中心及红外物理国家实验室

[2] 中国科学院上海物理研究所半导体材料器件研究中心及红外物

来源：

固体电子学研究与进展 | 2002年 / 02期

关键词：

分子束外延; 碲镉汞; 位错密度;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN215 [红外探测、红外探测器];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

报道了用 MBE的方法 ,在 Zn Cd Te衬底上制备 Hg Cd Te薄膜的位错密度研究结果。研究发现Hg Cd Te材料的位错密度与 Zn Cd Te衬底的表面晶体损伤、Hg Cd Te生长条件以及材料组分密切相关。通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在 Zn Cd Te衬底上生长的长波 Hg Cd Te材料 EPD平均值达到 4.2× 1 0 5cm- 2 ,标准差为 3 .5× 1 0 5cm- 2 ,接近 Zn Cd Te衬底的位错极限。可重复性良好 ,材料位错合格率为 73 .7%。可以满足高性能Hg Cd Te焦平面探测器对材料位错密度的要求

引用

页码：215 / 218

页数：4

共 3 条

[1]

Formation and control of defects during molecular beam epitaxial growth of HgCdTe [J].