ZnO的激光分子束外延法制备及X射线研究

被引：7

作者：

杨晓东 ^{[1
]}

张景文 ^{[2
]}

毕臻 ^{[2
]}

贺永宁 ^{[2
]}

侯洵 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室

[2] 西安交通大学信息光子技术陕西省重点实验室

来源：

光子学报 | 2008年 / 03期

关键词：

氧化锌; 激光分子束外延; 小角度X射线分析; X射线反射率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

利用激光分子束外延(L-MBE)技术在α-Al2O3(0001)衬底上生长出了沿C轴高度择优取向的ZnO外延薄膜,并采用Philips四晶高分辨X射线衍射仪(Philip′s X′Pert HR-MRD)对ZnO薄膜的表面及结构特性进行了研究.应用小角度X射线分析方法(GIXA)对ZnO薄膜的表面以及ZnO/Al2O3界面状况进行了定量表征.X射线反射率(XRR)曲线出现了清晰的源于良好表面及界面特性的Kiessig干涉振荡峰,通过对其精确拟合求得ZnO薄膜的表面及界面粗糙度分别为0.34nm和1.12nm.ZnO薄膜与α-Al2O3(0001)衬底的XRD在面(in-plane)Φ扫描结果表明形成了单一的平行畴(Alignedin-plane Oriented Domains),其在面外延关系为ZnO[1010]||Al2O3[1120].XRDω-2θ扫描以及ω摇摆曲线半峰宽分别为0.12度和1.27度,这一结果表明通过形成平行畴及晶格驰豫过程,ZnO薄膜中的应力得到了有效的释放,但同时也引入了螺位错.

引用

页码：485 / 489

页数：5

共 5 条

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