目的研究血管内皮生长因子(vascular endothelial growth factor VEGF)在局灶性脑缺血中不同时相的表达,以探索血管内皮生长因子在局灶性脑缺血中的作用。方法制作大鼠自体血栓性MCAO模型,在不同时点用免疫组化染色观察血管内皮生长因子表达情况。同时观察局灶性脑缺血后血管形成情况。结果VEGF在局灶性脑缺血后6 h表达增强,24 h达高峰,在1周、2周恢复到对照水平。VEGF主要在缺血半暗带神经元、胶质细胞及血管内皮细胞表达;在缺血后48 h半暗带周边出现血管增生,1周后达高峰。结论在局灶性脑缺血早期VEGF在神经细胞、胶质细胞、血管内皮细胞等均有表达,可促进缺血半暗带的血管增生,对改善缺血半暗带血供有重要作用。